[16a-PB05-1~5] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

[16a-PB05-5] Fabrication of low-threshold Schottky barrier diodes using FeS2 natural crystals

〇Riku Ando¹, Narihiko Maeda¹ (1.Tokyo Univ. of Technology)

Keywords:narrow gap semiconductor, natural crystals, schottky barrier diode

FeS₂天然結晶に対してショットキーおよび、オーミック電極の実装とモールディングを行い、天然結晶を用いたショットキーバリアダイオードの作製に初めて成功した。また、I-V特性の測定を実施した結果、安定した特性が得られた他、フィッティング解析を実施した結果、バリアハイトは0.60 eVと評価され、FeS₂結晶はエネルギーハーベスティング等の技術に利用可能な低閾値半導体デバイス材料として有望であるという知見が得られた。