[16p-A301-7~12] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-A301-11] 4H-SiC(0001)へのAlチャネリングイオン注入に対する電子阻止断面積の再評価

〇望月 和浩¹、西村 智朗¹、三島 友義¹ (1.法政大)

キーワード：炭化珪素、アルミニウム、電子阻止断面積