[16p-A403-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16p-A403-11] 電気化学的酸化法によるTa酸化膜成長とReRAMへの適用

〇(M1C)宮田 直仁¹、石井 芳晶¹、高橋 昌男¹、茂庭 昌弘¹ (1.東京工科大工)

キーワード：陽極酸化、表面モフォロジー

IoTウェアラブルデバイスの低消費電力化, 小型化に向けて抵抗変化メモリ(ReRAM)が注目されている. ReRAMの主な作製方法にはいくつかあるが, 電気化学的酸化法は,低温・低コストで, 記憶層にあたる酸化膜を形成できる特徴がある. 前回, 酸化中に純水を滴下した影響を表面モフォロジー, 電気的特性に着目して比較検討した.
酸化中に純水を滴下することで酸化膜表面が平滑になり, 特性発生率が良くなったことを報告した. 今回は酸化時間を変えるなどして、酸化膜成長についてより詳細に評価を行った。