[16p-A403-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16p-A403-15] 高純度オゾンを用いたALDによるAl₂O₃膜段差被覆性

〇萩原 崇之¹、元田 総一郎¹、亀田 直人¹、中村 健²、野中 秀彦² (1.明電NPI、2.産総研)

キーワード：ALD、高純度オゾン、段差被覆性