[16p-A403-1~20] 13.5 Semiconductor devices/ Interconnect/ Integration technologies

[16p-A403-4] [The 14th Silicon Technology Division Young Researcher Award Speech] ZrS₂ symmetrical-ambipolar FETs with near-midgap TiN film for both top-gate electrode and Schottky-barrier contact

〇Masaya Hamada¹, Kentaro Matsuura¹, Takuya Hamada¹, Iriya Muneta¹, Kuniyuki Kakushima¹, Issei Tsutsui¹, Hitoshi Wakabayashi¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:semiconducor, layered material

層状ZrS₂膜は二次元半導体遷移金属ダイカルコゲナイドの一つであり、シリコンに近い適度なバンドギャップ（単層1.08 eV）と高い移動度（1,200 cm²V^-1s^-1）を持つことから次世代トランジスタへの応用が期待される。先行研究においてPVD法の一つであるスパッタリング法によってcmオーダーのSiO₂基板全面に均一な膜厚を持ったZrS₂膜を成膜することに成功しており、今回この大面積PVD ZrS₂膜をチャネルに使用したトランジスタについて報告を行う。