[16p-A403-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16p-A403-4] [第14回シリコンテクノロジー分科会研究奨励賞受賞記念講演] ZrS₂ symmetrical-ambipolar FETs with near-midgap TiN film for both top-gate electrode and Schottky-barrier contact

〇濱田 昌也¹、松浦 賢太朗¹、濱田 拓也¹、宗田 伊理也¹、角嶋 邦之¹、筒井 一生¹、若林 整¹ (1.東京工業大学)

キーワード：半導体、層状物質

層状ZrS₂膜は二次元半導体遷移金属ダイカルコゲナイドの一つであり、シリコンに近い適度なバンドギャップ（単層1.08 eV）と高い移動度（1,200 cm²V^-1s^-1）を持つことから次世代トランジスタへの応用が期待される。先行研究においてPVD法の一つであるスパッタリング法によってcmオーダーのSiO₂基板全面に均一な膜厚を持ったZrS₂膜を成膜することに成功しており、今回この大面積PVD ZrS₂膜をチャネルに使用したトランジスタについて報告を行う。