[16p-A403-1~20] 13.5 デバイス／配線／集積化技術

[16p-A403-7] UV-LEDを用いたHfO₂系強誘電体キャパシタのアニールプロセス省電力化に関する研究

〇山田 裕貴^1,2、古江 悟¹、横森 岳彦¹、糸矢 祐喜²、更屋 拓哉²、平本 俊郎²、小林 正治^2,3 (1.ウシオ電機、2.東大生研、3.東大d.lab)

キーワード：強誘電体キャパシタ、LEDアニール

本研究ではUltraviolet (UV-) LED光源をアニールに用いて形成したHf_0.5Zr_0.5O₂(HZO)強誘電体膜の特性について報告する。強誘電体膜のアニール手法として、ハロゲンランプから放射される赤外光を用いたRTAが広く用いられている。しかし、強誘電体キャパシタTiN/HZO/TiNは紫外域で高い吸収ピークを持ち、赤外域で吸収率が低下するため、アニールのエネルギー利用効率が低かった。短波長域のUV-LED光源を用いることで、アニールプロセスの省電力化が期待できる。