[16p-B401-1~13] 15.4 III-V族窒化物結晶

[16p-B401-10] 発光分光分析計を用いたエッチングプロセスにおけるEu添加GaN層の終点検知

〇佐藤 陽子¹、紺野 象二郎¹、本山 敦史¹、横井 雅樹¹、松濱 誠²、市川 修平³、宮永 和恒³、神﨑 伯夫³、藤原 康文³ (1.堀場エステック、2.堀場製作所、3.大阪大学)

キーワード：発光分光分析、エッチング、終点検知

マイクロLEDディスプレイの実現に向け、Eu添加GaN赤色LED／InGaN量子井戸構造青色・緑色LEDからなるフルカラーLEDのモノリシック化を進めるにあたり、ドライエッチングにおける終点検知が重要なキーテクノロジーとなる。本研究では、終点検知に特化した独自のアルゴリズム「Rupture Intensity」を搭載したOESを用いて、Euを添加したGaN層の終点検知に成功したので報告する。