[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[16p-B508-13] 極薄積層絶縁膜の深さ方向膜質評価

〇棚橋 優策¹、井上 敬子¹、関 洋文¹ (1.東レリサーチセンター)

キーワード：絶縁膜、ステップエッチング、FT-IR

Si系半導体の多層化や薄膜化に伴い、成膜プロセスにおける精密な制御が不可欠になっており、極薄膜の膜質や原子レベルでの界面評価など深さ方向を高分解能で評価するニーズが高まっている。本講演では、SiN(5nm)/SiO2(5nm)の積層絶縁膜に対し、ステップエッチング前処理法とFT-IR測定を組み合わせ、主成分の結合情報のみならず官能基を含めた深さ方向の膜質評価例を報告する。