[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[16p-B508-14] Si酸化における界面から酸化膜へのSi放出過程の理論検討

〇影島 博之¹、秋山 亨²、白石 賢二³ (1.島根大、2.三重大、3.名古屋大)

キーワード：Si酸化、Si放出、第一原理計算

Siの酸化中には界面からSiが酸化膜中に放出されることが知られている。我々は今回、第一原理計算を用いて実際にどのような原子配置をとりながら拡散していくのか、我々の以前の検討よりもより大きな単位胞を用いて、そのパスの同定を試み、界面Si放出の妥当性を理論的に確認した。