[16p-B508-1~17] 13.3 Insulator technology

[16p-B508-15] Effects of thermal annealing on the charge trapping characteristics of silicon nitride films for nonvolatile memory applications

〇Zuhao Wang¹, Kenshi Kimoto³, Soichiro Nakagawa¹, Mitsuhiro Sashida², Kento Nakamura², Fumiya Fujino², Kunimitsu Maejima³, Kiyoteru Kobayshi^1,2 (1.Tokai Univ., Gra. Sch. Eng., 2.Tokai Univ., Sch. Eng., 3.ESCO, Ltd.)

Keywords:nonvolatile memory, silicon nitride film, thermal desorption spectroscopy

950 ℃または850 ℃の熱処理を行ったシリコン窒化膜からなるMNOSキャパシタのフラットバンド電圧の変化から、熱処理温度が高いほど窒化膜中の電子捕獲密度が減少することが分かった。窒化膜には水素が関与した電子トラップが存在することが知られている。このため、950 ℃熱処理中の窒化膜からの水素脱離についてTDSを用いて調べたところ、三つの脱離ピークが現れた。発表では、三つの脱離ピークの起源についての検討結果について報告する。