[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[16p-B508-16] 2段階酸化によるGeO₂膜の作製と評価

〇(M1)斉藤 基¹、土屋 雄太¹、岩崎 好孝¹、上野 智雄¹ (1.農工大院工)

キーワード：半導体