[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[16p-B508-4] 機械的な引張歪みの存在下での分極反転に伴うHfO₂薄膜の残留分極値の増大の実証

〇井上 辰哉¹、女屋 祟²、喜多 浩之^1,2 (1.東大院工、2.東大院新領域)

キーワード：強誘電性

HfO₂における強誘電性の発現や分極の大きさの変動現象に対する構造歪みの影響について，4点曲げによって機械的な歪みを与えることによって直接的に検証したところ，たかだか~0.1%程度の引張歪みによって強誘電相が強く誘起されることが示された。またウェイクアップの大きさについても，引張歪みによって増大するというモデルを支持する結果となった。