[16p-B508-1~17] 13.3 絶縁膜技術

[16p-B508-5] アニール時の機械的歪み導入によるHfO₂薄膜の強誘電相安定化効果

〇安田 滉¹、女屋 崇²、喜多 浩之^1,2 (1.東大工、2.東大院新領域)

キーワード：HfO2系強誘電体膜、機械的歪み

HfO₂薄膜の準安定である直方晶相の安定化には、基板や電極による引張方向の構造歪みが寄与していると考えられているが、構造歪みの効果について実験的に直接確かめた例は見当たらない。本研究では、結晶化過程において機械的な歪みを導入することにより、構造歪みが直方晶相の安定化に与える効果を直接的かつ定量的に調査し、機械的な歪みが直方晶相の生成に効果を与え、特に引張歪みがその安定化に寄与することが明らかとなった。