[16p-E102-1~12] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

[16p-E102-6] Thermal Stability of Selective-Area-Growth-α-Ga₂O₃ on Sapphire Substrates
Investigated by Micro-Raman Spectroscopy

〇Riena Jinno¹, Masami Kanzaki², Susumu Fukatsu¹ (1.Univ. Tokyo, 2.Okayama Univ.)

Keywords:ultra-wide bandgap semiconductor, gallium oxide, structural phase transition

酸化ガリウム (Ga₂O₃) は約5 eVのバンドギャップエネルギーを持つ超ワイドバンドギャップ半導体材料の一つである。Ga₂O₃の結晶多型の中でコランダム構造 (α相) は、Al₂O₃ (サファイア) との混晶化により5.4~8.8 eVの広範囲でバンドギャップ変調可能であり、高耐圧パワーエレクトロニクスや深紫外オプトエレクトロニクスへの応用が期待できる。しかし、α相は準安定相であるため、600℃以上の温度において熱的に最安定相であるβ相へ相転移し、特にイオン注入などのプロセス温度に耐えないことが課題である。本発表では、ラマン分光を用いたSAG α‑Ga₂O₃の熱的安定性および面内分布について報告する。