[16p-PA03-1~6] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[16p-PA03-2] Formation of β-FeSi₂ NDs by SiH₄-Exposure to Fe-NDs

〇Haruto Saito¹, Katsunori Makihara¹, Wang Zilu¹, Noriyuki Taoka¹, Akio Ohta¹, Seiichi Miyazaki¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:Iron silicide, nanodot, b-FeSi2

これまでに、SiO₂熱酸化膜上にリモートH₂プラズマ支援により高密度・一括形成したFeナノドットに基板温度400˚CでSiH₄照射を行った場合、Feシリサイドナノドットが形成でき、0.79eV付近に室温PLが認められることを報告した。本研究では、SiH₄照射時におけるガス圧力および照射時間がFeナノドットのシリサイド化反応に及ぼす影響を評価した。結果としてSiH₄照射によりβ-FeSi₂相形成後、表面にSiが堆積することで発光強度が低減することがわかった。