[16p-PA03-1~6] 13.4 Si processing /Si based thin film / MEMS / Equipment technology

[16p-PA03-3] Study on Silicidation Reaction of Ultrathin Fe-Films with SiH₄

〇Haruto Saito¹, makihara katsunori¹, Wang Zilu¹, Noriyuki Taoka¹, Akio Ohta¹, Seiichi Miyazaki¹ (1.Nagoya Univ.)

Keywords:Iron silicide, Ultrathin film

これまでに我々は、SiO₂熱酸化膜上にリモートH₂プラズマ（H₂-RP）支援により高密度・一括形成したFeナノドット(~10¹¹cm^-2)に基板温度400˚CでSiH₄照射を行った場合、Feシリサイドナノドットが形成できることを報告してきた。本研究では、厚さ~1.0nmの極薄Fe膜へのSiH₄照射によるFeシリサイド超薄膜の形成を試みた。結果として、Fe薄膜表面にSiが堆積するものの、供給量の増加に伴いシリサイド化が進行することが分かった。