[16p-PA03-1~6] 13.4 Si系プロセス・Si系薄膜・MEMS・装置技術

[16p-PA03-3] Fe超薄膜へのSiH₄照射によるシリサイド化反応制御

〇斎藤 陽斗¹、牧原 克典¹、王 子璐¹、田岡 紀之¹、大田 晃生¹、宮﨑 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：Feシリサイド、超薄膜

これまでに我々は、SiO₂熱酸化膜上にリモートH₂プラズマ（H₂-RP）支援により高密度・一括形成したFeナノドット(~10¹¹cm^-2)に基板温度400˚CでSiH₄照射を行った場合、Feシリサイドナノドットが形成できることを報告してきた。本研究では、厚さ~1.0nmの極薄Fe膜へのSiH₄照射によるFeシリサイド超薄膜の形成を試みた。結果として、Fe薄膜表面にSiが堆積するものの、供給量の増加に伴いシリサイド化が進行することが分かった。