[16p-PA04-1~24] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[16p-PA04-17] MHz Analog-controlled Synchronous Rectification Circuit using GaN-HEMTs

〇Toshihide Ide^1,2, Mitsuaki Shimizu^1,2, Noriyuki Takada¹ (1.AIST RIAEP, 2.NU-AIST GaN-OIL)

Keywords:GaN-HEMT, Synchronous Rectification Circuit, MHz

GaN材料を母体としたパワーデバイスによるスイッチング回路はMHz領域での高速・高パワースイッチング動作とそれによる回路小型化が期待されている。しかし、低損失化のためには2次整流回路の低損失化が必要であり、MHz以上でのトランジスタ動作による同期整流回路が必要となる。今回はGaN-HEMTの特徴を活かした同期整流回路についてシミュレーションによる検討を実施したので報告する。