[16p-PA04-1~24] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[16p-PA04-4] ウェット酸化を利用した二重イオン注入4H-SiC MOSFETの製作プロセスに関する研究

〇佐藤 勇介^1,2、渡辺 聡²、櫻庭 政夫^1,2、佐藤 茂雄^1,2 (1.東北大工、2.東北大通研)

キーワード：4H-SiC、ウェット酸化、MOSFET

本研究では、ウェット酸化を用いた4H-SiC MOSFETの製作プロセスを構築し、トランジスタ動作の確認を行った。正のゲート電圧印加によってドレイン電流が6桁にわたって変調制御される一方で、チャネル移動度低下やAl／n⁺型SiCコンタクト抵抗増大の問題を改善するためのプロセス開発が必要である。また、寄生バイポーラ効果が顕在化した可能性が考えられ、p-WellやAl／p型SiCコンタクトを低抵抗化するためのイオン注入条件の再検討が必要である。