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[16p-PA05-1] 第一原理計算による余剰電子・ホールがSiC結晶多形、積層欠陥の構造安定性に与える影響の基礎検討
キーワード：SiC、結晶多形、第一原理計算
SiCデバイスのバイポーラ劣化現象の原因となる積層欠陥の自発的拡大の理論モデリングには，構造的な積層欠陥エネルギーとQWA効果による電気的な利得の大小関係が重要となる．しかしながら，シングルショックレー型積層欠陥のエネルギーについて、第一原理計算結果と実験に基づく推測結果の間には隔たりがある．一方で近年，余剰電子やホールの存在が圧力起因相転移や弾性率などの機械的材料特性を変えうることが報告されており，SiC結晶の構造的特徴にも影響を与えている可能性がある．そこで本研究では，その基礎的検討として，第一原理計算を用いて余剰電子・ホールの存在がSiC結晶多形の構造安定性や積層欠陥エネルギーに直接どのような影響を与えるかを求めた．