[16p-PA05-1~3] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16p-PA05-2] 4H-SiC基板表面におけるステップアンバンチング現象

〇(DC)榊原 涼太郎¹、乗松 航¹ (1.名大院工)

キーワード：炭化ケイ素、グラフェン、ステップバンチング

SiCの表面形態は、ゲート酸化膜の膜厚や熱分解によるグラフェン成長の制御性に大きく関わるため、そのナノスケールでの制御が重要である。SiC基板表面の水素エッチング処理の最中に、表面の原子層ステップが集まるステップバンチング現象が起こることが知られている。本研究では、バンチングにより高さ数nmとなったステップが、4H-SiCの格子定数cと等しい1 nm高さのステップへと変化するステップアンバンチング現象について報告する。