[16p-PA05-1~3] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[16p-PA05-3] 4H-SiCにおける電荷移動型原子間ポテンシャルの開発と基底面部分転位対の収縮現象への適用

〇平能 敦雄¹、榊間 大輝¹、波田野 明日可¹、泉 聡志¹ (1.東大工)

キーワード：転位、分子動力学法、SiC

4H-SiC結晶中に存在するBPD（基底面転位）からTED（貫通刃状転位）への変換現象を古典分子動力学法によって解明するために，新たな原子間ポテンシャルの開発を行った．従来の原子間ポテンシャルに電荷移動の影響を新たに取り入れることで，表面付近での転位芯構造の再現性が向上した．その原子間ポテンシャルを基底面部分転位対の収縮に適用し解析を行った結果，表面に近いほど収縮が起こりやすいことが明らかになった．