[16p-PA08-1~18] 6.3 Oxide electronics

[16p-PA08-10] Substrate position dependence of ZnO thin films deposited by reactive DC sputtering

〇(B)Haruki Sato¹, Shun Kondo¹, Md. Suruz Mian¹, Takeo Nakano¹ (1.Seikei Univ.)

Keywords:ZnO, reactive DC sputtering

VO₂のバッファ層としてZnO薄膜をガラス基板上にc軸配向成長させることを目的とした。VO₂の結晶性はZnOバッファ層の結晶性に強く依存するため、結晶性のよいZnO薄膜の作製を目指した。Znターゲットを使用し、酸素をチャンバー内に導入して反応性DCマグネトロンスパッタ法でZnO薄膜を作製した。基板をターゲットの中心対向領域とエロージョン対向領域に設置し、製膜を行いZnO薄膜の結晶性を比較した。