[17a-PB01-1~25] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[17a-PB01-22] イオン注入による酸化物TFTの閾値電圧制御

〇酒井 敏彦¹、藤原 将喜¹、東 大介¹、安東 靖典¹、松尾 大輔²、宇井 利昌²、安田 圭佑²、山根 裕也²、立道 潤一² (1.日新電機、2.日新イオン機器)

キーワード：酸化物TFT、閾値電圧、イオン注入

酸化物TFTは、高移動度化に伴い、閾値電圧が負側にシフトしやすいことが知られている。本研究では、金属薄膜を通過させて下層のSiO₂膜にイオン注入を行うことで、固定電荷制御が可能であることを応用し、ゲート絶縁膜へのイオン注入によって、酸化物TFTの閾値電圧制御が可能であることを確認した。