[17p-A205-1~18] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17p-A205-10] 反応層脱離工程に準安定状態のAr照射を用いたSiNサイクルエッチ

〇塩田 貴支¹、佐竹 真¹、岩瀬 拓¹、園田 靖² (1.日立研開、2.日立ハイテク)

キーワード：プラズマ、サイクルエッチ、SiN

半導体デバイスの微細化と構造の三次元化に伴い，高精度な等方性SiNエッチングの需要が高まっている。これまで，CHF₃/O₂プラズマによる反応層形成と加熱処理で反応層脱離を繰り返すSelf limitedなサイクルエッチプロセスが報告されてきた。本報告では，新たな脱離法として準安定状態のAr照射を用いた脱離工程を検討した。その結果，準安定状態のAr照射を用いて，Self limitedなSiNのサイクルエッチプロセスを構築できることがわかった。