[17p-A205-1~18] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17p-A205-15] 反応性大気圧熱プラズマジェットを用いた急速熱処理と原子状酸素ラジカルの同時供給によるフォトレジストの超高速エッチング

〇(M2)加藤 響¹、花房 宏明¹、東 清一郎¹ (1.広島大先進理工)

キーワード：プラズマジェット、アッシング

半導体製造プロセスにおいて、フォトレジスト(PR)塗布後のウエハエッジ部ではPRが厚くなるため露光工程に進む前にこれを除去する工程(Edge Bead Removal : EBR)が不可欠である。また近年では有機厚膜を塗布するプロセスが多用されるため、これら有機膜の高速エッチングの重要性が高まっている。従来は薬液による除去が用いられているが、低いエッチング速度や取り扱い上の課題が多いことから、ドライプロセスによる高速エッチング技術の導入は極めて有効であると考えられる。我々はArとを用いた反応性大気圧熱プラズマジェット(R-TPJ)照射によってウエハエッジ部を局所的加熱すると同時にエッチングをおこなうことで高速PR除去が可能ではないかと考え実験を行った。