[17p-A205-1~18] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17p-A205-17] F,N,およびCFラジカルを用いたSiGe/Si選択エッチの第一原理計算解析

〇菅野 量子¹、岩瀬 拓¹、桑原 謙一² (1.日立研開、2.日立ハイテク)

キーワード：SiGe/Si 選択エッチング、ラジカルエッチング

F，CF及びNラジカルを用いたSiGe/Si選択エッチングに関して第一原理計算解析を行った。Si(Ge)F3構造が遷移状態を経てSi(Ge)F4で脱離すると仮定して脱離バリアを計算した。GeF-Si(Ge)F3構造の脱離バリアはSiF-Si(Ge)F3構造と比較して約1/2に低下する。SiGe表面ではSi表面より低い脱離バリアのもとでエッチングが進行しSiGe/Si選択性が発現すると考えられる。