2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

8 プラズマエレクトロニクス » 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

[17p-A205-1~18] 8.2 プラズマ成膜・エッチング・表面処理

2023年3月17日(金) 13:00 〜 17:45 A205 (6号館)

唐橋 一浩(阪大)、藤崎 寿美子(日立製作所)

15:00 〜 15:15

[17p-A205-9] 繰り返しナノインデンテーション法による低誘電率絶縁膜の機械的構造変化の解析

郷矢 崇浩1、占部 継一郎1、江利口 浩二1 (1.京大院工)

キーワード:プラズマ誘起ダメージ、low-k膜、ナノインデンテーション

低誘電率絶縁膜(low-k膜)は大規模集積回路の層間絶縁膜に使用され,その機械特性はデバイス性能や信頼性を決定付ける重要な要素である.機械特性評価解析の高精度化に向けて,我々は繰り返しナノインデンテーション法を提案し,評価解析を行ってきた.今回我々は,low-k膜機械特性のプラズマダメージによる効果に着目し,繰り返しナノインデンテーション法による経時的な機械特性変動の解析を試みた.