[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17p-A301-11] Development of GaN Recycling Wafer Process Enabling Low Cost and CO₂ Emission

〇Junji Ohara¹, Masatake Nagaya¹, Kazukuni Hara¹, Shinichi Hoshi¹, Takashi Kanemura¹, Takashi Ushijima¹, Takashi Ishida¹, Shosuke Nakabayashi¹, Kozo Kato¹, Takayuki Koyama¹, Yoshitaka Nagasato¹, Kazuhiro Tsuruta¹, Jun Kojima^1,2, Shoichi Onda^1,2, Tsutomu Uesugi², Atsushi Tanaka², Chiaki Sasaoka², Jun Suda², Keisuke Hara³, Daisuke Kawaguchi³, Koji Kuno³, Tetsuya Osajima³ (1.MIRISE, 2.Nagoya Univ., 3.HAMAMATSU PHOTONICS)

Keywords:GaN Substrate, Recycle, Laser Slice

GaNデバイスの普及に向けて基板の低コスト化は必須である。また基板製造に要するエネルギー低減も課題である。本研究ではこれらに鑑み、低コスト、低CO_２排出を実現するウェハプロセス技術としてレーザスライスによるデバイス部分離と平坦化研削・研磨、厚いエピ成膜を組み合わせた基板リサイクルの確立を目指している。今回、コンセプトを具体化する目的で提案プロセスがΦ２ウェハ状態で一巡すること等を検証した。