[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17p-A301-12] Electrical property of vertical PNDs and lateral MOSFETs on a recycled GaN wafer

〇Takashi Ishida¹, Takashi Ushijima¹, Shosuke Nakabayashi¹, Kozo Kato¹, Takayuki Koyama¹, Yoshitaka Nagasato¹, Junji Ohara¹, Shinichi Hoshi¹, Masatake Nagaya¹, Kazukuni Hara¹, Takashi Kanemura¹, Kazuhiro Tsuruta¹, Jun Kojima^1,2, Tsutomu Uesugi², Atsushi Tanaka², Chiaki Sasaoka², Shoichi Onda^1,2, Jun Suda², Keisuke Hara³, Daisuke Kawaguchi³, Koji Kuno³, Tetsuya Osajima³ (1.MIRISE Technologies, 2.Nagoya Univ., 3.HAMAMATSU PHOTONICS)

Keywords:GaN wafer, recycle, power device

縦型GaNパワーデバイスの普及のためには、基板コストを低減する必要がある。基板は従来、デバイス作製後に研削研磨で大部分を除去される。しかし、高価なGaN基板の使い捨てはGaNデバイスのコストアップ要因となる。そこで我々は、デバイス作製後にレーザースライスによりGaN基板表面のデバイス部分を剥離し、下地基板のリサイクルを試みた。今回、リサイクル基板上に作製したデバイスが動作することを確認できたので報告する。