5:15 PM - 5:30 PM
[17p-A301-16] Improvement of threshold voltage controllability in fabrication of recessed gate GaN HEMTs by introducing etch stop detection layer
Keywords:GAD, GaN, HEMT
無線電力伝送のマイクロ波レクテナ用デバイスとして, 我々はノーマリオフAlGaN/GaN HEMTのゲート電極とオーミック電極を短絡したゲーテッドアノードダイオード(GAD)の開発を行っている. ゲートリセス形成にAlGaN/GaNの選択エッチングを用いることができないため, ウエハ面内でのしきい値電圧の分布(変動)が大きな課題であった. 今回はエッチング停止位置検出層を導入することで, しきい値電圧制御性向上に取り組んだので報告する.