[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [17p-A301-6] Characterization of recombination current in homoepitaxial GaN p-n junction diode with N atoms displacement-related defects introduced by electron beam irradiation

〇Meguru Endo¹, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:Deep level, NRC, Electron beam irradiation

GaNにおける深い準位について理解を深めるべく，我々は，GaN中に窒素原子変位を意図的に発生させ，形成される深い準位との相関を調べることに取り組んでいる．これまでに我々は，電子線照射を用いて窒素(N)変位(V_N，N_I)関連欠陥により形成される伝導帯および価電子帯から1 eV以内の電子トラップおよび正孔トラップを報告してきた．今回，電子線照射によりN変位関連欠陥を選択的に導入したホモエピタキシャル成長GaN p+-n接合およびp-n+接合ダイオードを作製し，その順方向I-V特性を解析により，n-GaNおよびp-GaN中を流れる再結合電流について評価した．その結果，N変位関連欠陥がn型p型にかかわらず，支配的な再結合中心として働くことを明らかにした．