[17p-A301-1~18] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[17p-A301-7] Hall effect measurement of defect levels introduced by 137 keV electron beam irradiation in homoepitaxial n-type GaN

〇Chihiro Kojima¹, Masahiro Horita^1,2, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:gallium nitride, point defect, deep level

GaNの実用化に向け、点欠陥と欠陥準位の相関を理解する基礎研究が求められている。我々のグループは、450 keV未満の電子線を照射することによりn-GaN中の窒素原子のみを意図的に変位させ、DLTS測定により2つのピークEE1 (E_c − 0.13 eV), EE2 (E_c − 0.98 eV)を観測したことを報告してきた。本研究では、ホール効果測定によりこれらの準位を検証したので報告する。