The 70th JSAP Spring Meeting 2023

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-B401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Mar 17, 2023 1:15 PM - 5:30 PM B401 (Building No. 2)

Hideaki Murotani(Tokuyama College), Maki Kushimoto(Nagoya Univ.), Takao Oto(Yamagata Univ.)

2:00 PM - 2:15 PM

[17p-B401-4] Investigation of vertical AlGaN-based UV-B devices by lift-off process with saturated vapor pressure water

Toma Nishibayashi1, Eri Matsubara1, Ayumu Yabutani1, Ryoya Yamada1, Ryosuke Kondo1, Ryota Hasegawa1, Syo Iwayama1,2, Motoaki Iwaya1, Tetsuya Takeuchi1, Satosi Kamiyama1, Kohei Miyoshi3, Kochi Naniwae3, Hideto Miyake2 (1.Meijou Univ., 2.Mie Univ., 3.Ushio Inc.)

Keywords:AlGaN

本グループではサファイア基板上のUV-Bレーザダイオードの動作を実現している。そこで、高出力化に向け縦型デバイスの実現が望まれており、我々はLLOを用いた縦型デバイスの動作について報告した。一方、よりソフトな溶液を用いた基板剥離技術の検討を進めており、飽和蒸気圧水を用いることにより基板の剥離が可能であることを見出した。本報告では、飽和蒸気圧水を用いた基板剥離技術の縦伝導デバイス実現に向けた検討を行った。