2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

15 結晶工学 » 15.4 III-V族窒化物結晶

[17p-B401-1~15] 15.4 III-V族窒化物結晶

2023年3月17日(金) 13:15 〜 17:30 B401 (2号館)

室谷 英彰(徳山高専)、久志本 真希(名大)、大音 隆男(山形大)

14:00 〜 14:15

[17p-B401-4] 飽和蒸気圧水を用いたリフトオフプロセスによる縦伝導AlGaN系UV-Bデバイスの検討

西林 到真1、松原 衣里1、薮谷 歩武1、山田 凌矢1、近藤 涼輔1、長谷川 亮太1、岩山 章1,2、岩谷 素顕1、竹内 哲也1、上山 智1、三好 晃平3、難波江 宏一3、三宅 秀人2 (1.名城大理工、2.三重大院、3.ウシオ電機)

キーワード:AlGaN

本グループではサファイア基板上のUV-Bレーザダイオードの動作を実現している。そこで、高出力化に向け縦型デバイスの実現が望まれており、我々はLLOを用いた縦型デバイスの動作について報告した。一方、よりソフトな溶液を用いた基板剥離技術の検討を進めており、飽和蒸気圧水を用いることにより基板の剥離が可能であることを見出した。本報告では、飽和蒸気圧水を用いた基板剥離技術の縦伝導デバイス実現に向けた検討を行った。