The 70th JSAP Spring Meeting 2023

Presentation information

Oral presentation

15 Crystal Engineering » 15.4 III-V-group nitride crystals

[17p-B401-1~15] 15.4 III-V-group nitride crystals

Fri. Mar 17, 2023 1:15 PM - 5:30 PM B401 (Building No. 2)

Hideaki Murotani(Tokuyama College), Maki Kushimoto(Nagoya Univ.), Takao Oto(Yamagata Univ.)

1:45 PM - 2:00 PM

[17p-B401-3] Crystal orientation depedence of altered layer in saturated vapor water treatment

〇(B)Ryoya Yamada1, Eri Matsubara1, Ryota Hasegawa1, Ryosuke Kondo1, Ayumu Yabutani1, Koki Hattori1, Toma Nishibayashi1, Yoshinori Imoto1, Ryuitiro Sakakima1, Sho Iwayama1,2, Motoaki Iwaya1, Tetsuya Takeuti1, Satoshi Kamiyama1, Shinya Kumagai1, Ryuji Maruyama1, Hideto Miyake2, Shintaro Kobayashi3, Taiji Yamamoto3 (1.Meijo Univ, 2.Mie Univ, 3.Rigaku Corp)

Keywords:nitride

本研究室では、サファイア基板上にAlNナノピラーを形成したテンプレート上に成長したAlGaNを加熱した飽和蒸気圧水で処理することにより、AlGaN基板から剥離が可能であることを報告している。この処理によって変質層が形成されることが分かっており、本検討ではこの変質層の面方位依存性を調査した。実験方法は AlNのAl極性面、N極性面、m面、a面の4つの結晶面の試料を飽和蒸気圧水で処理した。結果、Al極性面は変質層が形成されず、N極性面は変質層が形成された。またm面、a面はエッチングされた領域が確認された。この結果から剥離のメカニズムを考察する。