[17p-B410-1~12] 13.8 光物性・発光デバイス

[17p-B410-3] 高温アニール処理を施したEu,O共添加GaNの光励起・電流注入下における発光特性

〇岩谷 孟学^1,3、市川 修平^1,2、Dolf Timmerman¹、Volkmar Dierolf³、Hayley Austin³、Brandon Mitchell^1,3,4、舘林 潤¹、藤原 康文¹ (1.阪大院工、2.阪大超高圧電顕センター、3.Lehigh大、4.West Chester大)

キーワード：Eu,O共添加GaN

これまでに我々は、有機金属気相エピタキシャル法を用いて成長したEu,O共添加GaNに対し、高温アニール処理を施すことで、発光効率が低い発光中心を減少させたうえで、発光効率が高い発光中心が形成されることを指摘している。本研究では、高温アニールによって特に多く形成される、発光効率が高い発光中心に着目し、その光励起下・電流注入下における発光特性について詳細に検討する。