[17p-B414-1~15] 13.1 Si系基礎物性・表面界面・シミュレーション

[17p-B414-12] 界面準位を含むMOSキャパシタの回路モデリング

〇福田 浩一¹、服部 淳一¹、浅井 栄大¹、井手 利英¹、清水 三聡¹ (1.産総研)

キーワード：回路シミュレーション、界面準位

界面準位の動的な挙動を含む素子の回路モデルを数値的に実現し、その詳細設定を検討した結果、MOSキャパシタのCV特性のヒステリシスを、複数のトラップに対して安定した解として得ることができた。