[18a-A301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[18a-A301-10] Design and fabrication of Hi-Lo type GaN IMPATT diode at microwave band

〇Seiya Kawasaki¹, Takeru Kumabe¹, Manato Deki^1,2, Hirotaka Watanabe³, Atsushi Tanaka³, Yoshio Honda³, Manabu Arai³, Hiroshi Amano^2,3 (1.Nagoya Univ., 2.VBL, Nagoya Univ., 3.IMaSS, Nagoya Univ.)

Keywords:GaN, IMPATT diode, Microwave oscillator

マイクロ波帯GaN IMPATダイオードの発振効率改善に向けて，低入力域での効率改善が見込まれるHi-Lo型構造について検討した．動作周波数15 GHzのHi-Lo型GaN IMPATTダイオードを設計した．計算からは，従来を上回る効率が示され，高効率化が期待できることが分かった．実際に発振特性を評価した結果、1 W程度の出力を得るのに必要な入力が約1/3となり，低入力域での発振効率が大幅に改善された．