[18a-A301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

[18a-A301-11] Improvement of Blocking Voltage by Utilizing Moderately-Doped Contact Layer in Wide-Recessed AlGaN/GaN Gated Anode Diodes for Microwave Rectification

〇Tomoya Watanabe¹, Hidemasa Takahashi¹, Yuji Ando^1,2, Akio Wakejima³, Jun Suda^1,2 (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS, 3.Nagoya Institute of Technology)

Keywords:GaN, rectifier, HEMT

マイクロ波無線電力伝送用受電整流デバイスとして、ノーマリーオフAlGaN/GaN HEMTを用いたゲーテッドアノードダイオードの開発を進めている。従来のHEMTではコンタクト抵抗の低減のためにコンタクト層を高ドープにしているが、我々はコンタクト層のドーピング濃度を意図的に下げることで耐圧を向上させる検討を行った。中濃度コンタクト層がデバイスの寄生抵抗、耐圧、電流コラプスに及ぼす効果を総合的に評価した。