[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-A301-12] GaN HEMTのGaNトラップによるY₂₂信号と過渡応答特性の比較

〇大石 敏之¹、加地 大樹¹、田渕 田渕¹、大塚 友絢²、山口 裕太郎²、新庄 真太郎²、山中 宏治² (1.佐賀大学、2.三菱電機株式会社)

キーワード：GaN HEMT、トラップ

二端子対回路パラメータと低周波小信号を利用したトラップ評価方法と過渡応答を比較した。今回はY₂₂とドレインラグについて比較した。ドレインラグはゲート電圧一定の条件でドレイン電圧をステップ上に変化させるため、Y₂₂と比較的似ているためである(Y₂₂は低電力の交流を入力とする)。その結果、過渡応答の終点のドレイン電圧とY₂₂のDCバイアスを等しくした場合にトラップピーク周波数が似た傾向をとることがわかった。しかし、応答波形の形状がY₂₂では対称、過渡応答では非対称となった。これはY₂₂では入力信号の大きさが小さいため、平衡状態に近い状態でトラップの応答を測定できているためと考えられる。