2023年第70回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

[18a-A301-1~13] 13.7 化合物及びパワーデバイス・プロセス技術・評価

2023年3月18日(土) 09:00 〜 12:30 A301 (6号館)

牧山 剛三(住友電工)

10:15 〜 10:30

[18a-A301-6] 縦型GaNトレンチMOSFETのサブバンドギャップ光照射によるしきい値変動

〇(M1)稲垣 光希1、岡 徹2,3、田中 成明3、長谷川 一也3、泉 貴富3、伊奈 務3、西尾 剛3、丹羽 隆樹3、須田 淳1,2 (1.名大院工、2.名大未来研、3.豊田合成)

キーワード:窒化ガリウム、MOSFET、しきい値変動

縦型GaNトレンチMOSFETは,高耐圧かつ低損失のパワースイッチングデバイスとして期待されているが,その実用化に向けてしきい値電圧(VTH)変動の制御が重要な課題となる.我々は前回,正のゲートバイアスストレス印加によるVTH変動について報告したが,そのとき顕微鏡照明の白色LED光照射でもVTHが変動することを見出した.そこで今回は,光照射に焦点を絞り,照射光の波長,強度を変えた結果から変動のメカニズムを検討したので報告する.