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△ [18a-A301-6] 縦型GaNトレンチMOSFETのサブバンドギャップ光照射によるしきい値変動
キーワード:窒化ガリウム、MOSFET、しきい値変動
縦型GaNトレンチMOSFETは,高耐圧かつ低損失のパワースイッチングデバイスとして期待されているが,その実用化に向けてしきい値電圧(VTH)変動の制御が重要な課題となる.我々は前回,正のゲートバイアスストレス印加によるVTH変動について報告したが,そのとき顕微鏡照明の白色LED光照射でもVTHが変動することを見出した.そこで今回は,光照射に焦点を絞り,照射光の波長,強度を変えた結果から変動のメカニズムを検討したので報告する.