[18a-A301-1~13] 13.7 Compound and power devices, process technology and characterization

△ [18a-A301-7] Lower Operating Voltage and Higher Current Density of GaN/AlN Resonant Tunneling Diode

〇Daiki Iwata¹, Takeru Kumabe¹, Hirotaka Watanabe², Manato Deki³, Yoshio Honda², Hiroshi Amano^2,3,4 (1.Nagoya Univ., 2.IMaSS, Nagoya Univ., 3.VBL, Nagoya Univ., 4.Akasaki R.C.)

Keywords:GaN, Resonant Tunneling Diode

GaN/AlN共鳴トンネルダイオード(RTD)は高出力なテラヘルツ光源として注目を集めている。我々は、MOVPE法を用いて初めて信頼性の高いGaN/AlN RTDを実現した。しかし、RTDの性能指標であるピーク電流密度が小さく、また、動作電圧が11 V程度と高く電力損失が大きい。以上から、本研究ではGaN/AlN RTDの動作電圧低減とピーク電流密度の向上に向けデバイス構造の検討を行った。