10:15 AM - 10:30 AM
△ [18a-A301-6] Threshold Voltage Shift under Sub-Eg-Light Illumination in Vertical GaN Trench MOSFETs
Keywords:Gallium Nitride, MOSFET, Threshold Voltage Shift
縦型GaNトレンチMOSFETは,高耐圧かつ低損失のパワースイッチングデバイスとして期待されているが,その実用化に向けてしきい値電圧(VTH)変動の制御が重要な課題となる.我々は前回,正のゲートバイアスストレス印加によるVTH変動について報告したが,そのとき顕微鏡照明の白色LED光照射でもVTHが変動することを見出した.そこで今回は,光照射に焦点を絞り,照射光の波長,強度を変えた結果から変動のメカニズムを検討したので報告する.