[18a-A302-1~6] 6.3 Oxide electronics

[18a-A302-5] Disappearance of quantum point contact in double tantalum oxide-based resistive switching cells

〇Tomoaki Ohno¹, Nishi Yusuke¹ (1.NIT Maizuru Col.)

Keywords:ReRAM

次世代不揮発性メモリの一つである抵抗変化型メモリの実用化に向け本研究では，従来の一層の抵抗変化素子とは異なり組成の異なる二層の酸化タンタルを用いた抵抗変化素子のフォーミング特性に対する電極材料の効果に着目し，コンダクタンスの量子化の発現やその経時変化の有無を調べた．Ag-TE素子とAu-TE素子では時間経過後にQPCが消失したことなどから，電極材料により導電性フィラメントの起源が異なることを示唆する結果が得られた．