MMIJ 2015,Matsuyama

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若手ポスター発表【コアタイム】

新材料

Tue. Sep 8, 2015 4:00 PM - 5:30 PM メディアホール (愛媛大学)

[PY-01] Flux growth of NaGaO2 single crystal and its ion-exchange

柿沼綾子1, 鈴木一誓1, 上田正人2, 小俣孝久1 (1.大阪大学, 2.関西大学)

Keywords:酸化物半導体, ウルツ鉱型構造, フラックス法, イオン交換

ウルツ鉱型派生構造を有するβ-GuGaO2及びβ-AgGaO2は、酸化物としては珍しいナローバンドギャップ半導体である。これらはウルツ鉱型派生構造のβ-NaGaO2を前駆体とし、NaをCuあるいはAg+へとイオン交換することで作製され、同じ組成のデラフォサイト相よりも準安定であるため、焼結法などの高温反応で緻密な試料を得られない。このため、電気伝導度などの詳細は未だ明らかとなっていない。本研究では前駆体β-NaGaO2の単結晶を作製し、そのイオン交換によりβ-AgGaO2とβ-GuGaO2の各単結晶の作製を検討した。 PbO-B2O3系フラックスを用い、β-NaGaO2単結晶の作製条件を検討した。1300℃で溶融後、1150℃まで2.5℃h-1、1000℃まで1.6℃h-1で冷却し大きさ約3~4mmのβ-NaGaO2単結晶を得た。この単結晶を、AgNO3-KNO3溶融塩中に浸漬しβ-AgGaO2単結晶を、CuCl-KCl溶融塩あるいはCuCl蒸気中で加熱しβ-GuGaO2単結晶の作製を試みた。得られた試料と前駆体との方位関係をEBSD法で調べ、イオン交換機構について研究した。


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