[C-3/4-23] （依頼講演30分）マッハ・ツェンダ型シリコン光変調器のMMI合分岐領域における反射による動的消光比への影響検討
キーワード：シリコンフォトニクス、光変調器、マッハ・ツェンダ
マッハ・ツェンダ（MZ）型シリコン光変調器では，その変調効率に起因して大きな動的消光比（ER）を得ることが困難である．位相シフタの長尺化は，吸収損失の増大や高周波帯域劣化に繋がり，また光の低群速度構造の採用は，吸収損失の増大だけでなく光波と高周波信号との速度不整合による光波形の劣化に繋がることが課題であった．ここでは，MZ型シリコン光変調器に対して，多モード干渉導波路（MMI）による合分岐領域における反射の影響を調査する．この反射が二つのMMI間において共振を引き起し，動的ERを悪化させる原因となることを示す．また，この共振が動的ERおよび光変調振幅（OMA）を逆に増強させる効果として働く条件について考察する．
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