[B-9-4] Effect of Poly/SiON Gate Stack Combined with Thin BOX and Ground Plane for Low Vth and Analog Applications of FDSOI Devices

C. Fenouillet-Beranger^1,2, P. Perreau^1,2, S. Kohler¹, F. Arnaud¹, M. Cassé², X. Garros², C. Laviron^1,2, P. Garnier¹, P. Rivallin², D. Chanemougame¹, R. Beneyton¹, A. Torres^1,2, D. Barge¹, N. Cherault¹, P. Gouraud¹, F. Leverd¹, E. Deloffre¹, M. Gros-Jean¹, N. Loubet¹, F. Abbate¹, M. Fournier¹, M. Gattefait¹, J. D. Chapon¹, B. Le-Gratiet¹, M. Gregoire¹, J. Bienacel¹, P. Gros¹, N. Kubler¹, G. Guierleo¹, C. Mezzomo¹, M. Marin¹, C. Leyris¹, R. Pantel¹, O. Faynot², C. Buj², F. Andrieu², S. Barnola², T. Salvetat², S. Denorme¹, S. Deleonibus², T. Skotnicki¹ (1.STMicroelectronics, 2.CEA-LETI/MINATEC, France)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2008.B-9-4