[J-8-2] Hydrogen-and-Stress-Induced de-lamination in an IrO2 Layer of FRAMs
J. H. Kim1, D. J. Jung1, H. H. Kim1, Y. K. Hong1, E. S. Lee1, S. Y. Kim1, J. Y. Jung1, H. K. Koh1, D. Y. Choi1, S. K. Kang1, H. Kim1, W. W. Jung1, J. Y. Kang1, Y. M. Kang1, S. Y. Lee1, H. S. Jeong1
(1.Samsung Electronics Co., Ltd., Korea)
https://doi.org/10.7567/SSDM.2008.J-8-2