[P-1-15] Comparison of PECVD and RTCVD CESL Nitride Stressor in Reliability and Performance Improvement for High-k/Metal Gate CMOSFETs

K. T. Lee¹, C. Y. Kang², S. H. Hong¹, H. S. Choi¹, G. B. Choi¹, J. C. Kim¹, S. H. Song¹, R. H. Baek¹, M. S. Park¹, H. C. Sagong¹, S. H. Sakong³, S. W. Jung³, H. K. Park², H. S. Hwang⁴, B. H. Lee², Y. H. Jeong¹ (1.Pohang Univ. of Sci. and Tech., Korea, 2.SEMATECH, USA, 3.NCNT, 4.GIST, Korea)

https://doi.org/10.7567/SSDM.2008.P-1-15